光學薄膜產(chǎn)品高低溫試驗，是為預測從產(chǎn)品出廠到其使用壽命結(jié)束期間的質(zhì)量情況，選定與市場環(huán)境相似度較高的環(huán)境應力后，設定環(huán)境應力程度與施加的時間，主要目的是盡可能在短時間內(nèi)，正確評估產(chǎn)品可靠性。

1、高溫存儲試驗

試驗目的：利用高低溫試驗箱考核在不施加電應力的情況下，高溫存儲對光電薄膜產(chǎn)品的影響。有嚴重缺陷的產(chǎn)品處于非平衡態(tài)，是一種不穩(wěn)定態(tài)，由非平衡態(tài)向平衡態(tài)的過渡過程既是誘發(fā)有嚴重缺陷產(chǎn)品失效的過程，也是促使產(chǎn)品從非穩(wěn)定態(tài)向穩(wěn)定態(tài)的過渡過程。

這種過渡一般情況下是物理化學變化，其速率遵循阿倫尼烏斯公式，隨溫度成指數(shù)增加。高溫應力的目的是為了縮短這種變化的時間，所以該實驗又可以視為一項穩(wěn)定產(chǎn)品性能的工藝。

試驗條件：一般選定一恒定的溫度應力和保持時間。微電路溫度應力范圍為75℃至400℃，試驗時間為24h以上。試驗前后被試樣品要在標準試驗環(huán)境中，既溫度為25土10℃、氣壓為86kPa~100kPa的環(huán)境中放置一定時間。多數(shù)的情況下，要求試驗后在規(guī)定的時間內(nèi)完成終點測試。

2、溫度循環(huán)試驗

試驗目的：考核產(chǎn)品承受一定溫度變化速率的能力及對極端高溫和極端低溫環(huán)境的承受能力，是針對產(chǎn)品熱機械性能設置的。當構(gòu)成產(chǎn)品各部件的材料熱匹配較差，或部件內(nèi)應力較大時，溫度循環(huán)試驗可引發(fā)產(chǎn)品由機械結(jié)構(gòu)缺陷劣化產(chǎn)生的失效。如漏氣、內(nèi)引線斷裂、芯片裂紋等。

試驗條件：在氣體環(huán)境下進行。主要是控制產(chǎn)品處于高溫和低溫時的溫度和時間及高低溫狀態(tài)轉(zhuǎn)換的速率。高低溫試驗箱內(nèi)氣體的流通情況、溫度傳感器的位置、夾具的熱容量都是保證試驗條件的重要因素。

其控制原則是試驗所要求的溫度、時間和轉(zhuǎn)換速率都是指被試產(chǎn)品，不是試驗的局部環(huán)境。微電路的轉(zhuǎn)換時間要求不大于1min在高溫或低溫狀態(tài)下的保持時間要求不小于10min；低溫為-55℃或-65-10℃，高溫從85+10℃到300+10℃不等。